Versuchsanleitung Halbleiterbauelemente

• Gleichrichterdioden
  - Wirkung des PN-Übergangs bei Dioden
  - Kennliniendarstellung von Dioden verschiedener Halbleiterwerkstoffe
  - Einpuls-Mittelpunktschaltung M1
  - Zweipuls-Brückenschaltung B2

• Z-Dioden
  - Durchlass- und Sperrkennlinie von Z-Dioden
  - Gleichspannungsbegrenzung mit Z-Dioden
  - Reihen- und Gegeneinanderschaltung von Z-Dioden
  - Wechselspannungsbegrenzung und Überspannungsschutz mit Z-Dioden
  - Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden

• Dioden mit speziellen Eigenschaften
  - Leuchtdioden

• Bipolare Transistoren
  - Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren
  - Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms
  - Die Kennlinien des Transistors
  - Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften

• Unipolare Transistoren (Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren)
  - Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von FETs
  - Durchlasskennlinie der PN-Übergänge des Gates bei FETs
  - Steuerwirkung des Gates beim N-Kanal-FET
  - Ausgangskennlinien des FETs

• MOS-FET (IG-FET)
  - Steuerwirkung des Gates beim selbstsperrenden MOS-FET
  - Ausgangskennlinien des selbstsperrenden MOS-FETs

• Unijunction-Transistor (UJT)
  - Prüfen der Interbasisstrecke beim Unijunction-Transistor
  - Schaltkennlinien des Unijunction-Transistors
  - Steuerkennlinien des Unijunction-Transistors

• Thyristoren
  - Thyristordiode (DIAC)
  - Thyristortriode (Thyristor)
  - Zweirichtungsthyristor (TRIAC)

Versuchsanleitung "Halbleiterbauelemente" (inkl. CD-ROM)