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Die Versuchsanleitung Halbleiterbauelemente behandelt folgende Themen:
- Gleichrichterdioden
- Z-Dioden
- Dioden mit speziellen Eigenschaften
- Bipolare Transistoren
- Unipolare Transistoren (Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren)
- MOS-FET (IG-FET)
- Unijunction-Transistor (UJT)
- Thyristoren
inkl. Lösungen
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Gleichrichterdioden
- Wirkung des PN-Übergangs bei Dioden
- Kennliniendarstellung von Dioden verschiedener Halbleiterwerkstoffe
- Einpuls-Mittelpunktschaltung M1
- Zweipuls-Brückenschaltung B2
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Z-Dioden
- Durchlass- und Sperrkennlinie von Z-Dioden
- Gleichspannungsbegrenzung mit Z-Dioden
- Reihen- und Gegeneinanderschaltung von Z-Dioden
- Wechselspannungsbegrenzung und Überspannungsschutz mit Z-Dioden
- Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden
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Dioden mit speziellen Eigenschaften
- Leuchtdioden
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Bipolare Transistoren
- Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren
- Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms
- Die Kennlinien des Transistors
- Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften
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Unipolare Transistoren (Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren)
- Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von FETs
- Durchlasskennlinie der PN-Übergänge des Gates bei FETs
- Steuerwirkung des Gates beim N-Kanal-FET
- Ausgangskennlinien des FETs
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MOS-FET (IG-FET)
- Steuerwirkung des Gates beim selbstsperrenden MOS-FET
- Ausgangskennlinien des selbstsperrenden MOS-FETs
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Unijunction-Transistor (UJT)
- Prüfen der Interbasisstrecke beim Unijunction-Transistor
- Schaltkennlinien des Unijunction-Transistors
- Steuerkennlinien des Unijunction-Transistors
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Thyristoren
- Thyristordiode (DIAC)
- Thyristortriode (Thyristor)
- Zweirichtungsthyristor (TRIAC)
Versuchsanleitung "Halbleiterbauelemente" (inkl. CD-ROM)
