Gleichrichterdioden - Wirkung des PN-Übergangs bei Dioden - Kennliniendarstellung
von Dioden verschiedener Halbleiterwerkstoffe - Einpuls-Mittelpunktschaltung
M1 - Zweipuls-Brückenschaltung B2
Z-Dioden - Durchlass- und Sperrkennlinie von Z-Dioden - Gleichspannungsbegrenzung
mit Z-Dioden - Reihen- und Gegeneinanderschaltung von Z-Dioden - Wechselspannungsbegrenzung
und Überspannungsschutz mit Z-Dioden - Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden
Dioden mit speziellen Eigenschaften - Leuchtdioden
Bipolare Transistoren - Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens
von bipolaren Transistoren - Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung
des Basisstroms - Die Kennlinien des Transistors - Einfluss des Arbeitswiderstandes
auf die Transistoreigenschaften
Unipolare Transistoren (Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren) - Prüfen der
Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von FETs - Durchlasskennlinie
der PN-Übergänge des Gates bei FETs - Steuerwirkung des Gates beim N-Kanal-FET -
Ausgangskennlinien des FETs
MOS-FET (IG-FET) - Steuerwirkung des Gates beim selbstsperrenden MOS-FET -
Ausgangskennlinien des selbstsperrenden MOS-FETs
Unijunction-Transistor (UJT) - Prüfen der Interbasisstrecke beim Unijunction-Transistor -
Schaltkennlinien des Unijunction-Transistors - Steuerkennlinien des Unijunction-Transistors